【明報專訊】香港微電子研發院（MRDI）將專注第三代半導體研發。所謂第三代半導體，是基於碳化矽或氮化鎵材料研發的晶片，現處於早期發展階段，特性是耐高電壓、高溫，可用於新能源汽車、再生能源、家電及冷氣節能等用途。以材料分，第一代半導體以矽製晶片，多用於電腦及電子產品的記憶體等；第二代以砷化鎵製晶片，多用於移動裝置的射頻通訊等。三類晶片各有應用範疇。
助發展低空經濟及綠能
MRDI行政總裁高騰透露，決定以第三代半導體為研發方向，屬微電子權威的董事局主席陳正豪與政府商討後的決定，高形容屬「非常好的選擇」，所用生產設備的先進要求較低、整體投入相對較少，與全球競爭時和國際水平差距不大。高亦指出，香港多所大學教授的論文在領域內屬頂尖，對行業具影響力。他提到第三代半導體技術可改善功耗，對發展低空經濟飛行器、綠色能源都有幫助，具市場潛力。
