【明報專訊】工業和信息化部9日印發《首台(套)重大技術裝備推廣應用指導目錄(2024 年版)》通知,電子專用裝備列表包括國產氟化氪光刻機(110nm),以及氟化氬光刻機(65nm)。被業內認為是國產深紫外線(DUV)光刻機的里程碑式進步。
「IT之家」昨日報道,中國首台(套)重大技術裝備是指國內實現重大技術突破、擁有知識產權、尚未取得明顯市場業績的裝備產品,包括整機設備、核心系統和關鍵零部件等。
工信部目錄顯示,在積體電路生產裝備,其中一項是「氟化氬光刻機」(DUV光刻機),核心技術指標是「晶圓直徑300mm,照明波長248nm,分辨率≦65nm,套刻≦8nm」。這代表該國產DUV可生產8納米及以下晶片。國產DUV光刻機的良率則未見提及。
報道指出,國產DUV光刻機雖與荷蘭ASML光刻機存在代差,至少已填補空白,可控可用,期待之後能研發出更先進的極紫外線(EUV)光刻機。中國若實現國產8納米及以下光刻機,未來絕大多數晶片製造,將不受制於ASML。截至目前,暫無中國官方與廠商宣布這項消息。
美國荷蘭收緊半導體設備出口管制
美國5日宣布收緊製造先進半導體設備所需機器的出口管制,荷蘭政府隔天跟進,宣布擴大限制半導體製造設備出口。