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話你知:電晶體載更多電流 保持較小體積

【明報專訊】「環繞式柵極」(gate-all-around,GAA)是新一代半導體製程技術,相對於目前主流的「鰭式場效應電晶體」(Fin Field-Effect Transistor,FinFET)更先進。GAA技術將多個納米線或納米片水平堆疊在一起,FinFET則需要將多個垂直「鰭片」彼此並排放置以增加電流。因此,GAA可通過降低供電電壓級、增加驅動電流能力以提升性能,從而突破FinFET的限制。簡言之,GAA技術讓電晶體得以承載更多電流,同時保持體積上相對較小。

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