韓國首爾警察廳產業技術安全偵查隊12月3日表示，一名涉嫌挖走大批三星電子半導體核心技術人才，並向中國成都高真科技有限公司（CHJS）泄露三星自研20nm動態隨機存取記憶體（DRAM）工藝技術的人士被逮捕送檢。
該名前三星電子工程師A某涉嫌違反《職業安定法》，警方表示，被泄技術的經濟價值達4.3萬億韓元（約合人民幣223.6億元），考慮到該技術帶來的經濟效益，實際損失規模更大。
除A某外，還有2名利用相同手法挖走韓國國內半導體專業人才的獵頭公司代表，以及1家法人也被送檢。據悉，這些獵頭公司為成都高真挖來的技術人員超過30人。
包括A某在內，共有21人被送檢，成都高真技術泄露案由此結案。成都高真代表、前三星電子常務崔某等人涉嫌《產業技術保護法》、《防止不正當競爭及商業秘密保護法》，已於9月被捕送檢。（韓聯社）